Vergleichende Halbleiteranalyse, die rohe HF-Leistung, Rauschzahl und Massenfertigungskosten bei Frontends der naechsten Generation gegeneinander abwaegt.
GaN bietet außergewöhnliche Durchbruchspannung und Leistungsdichte bis 90 GHz, aber InP zeigt eine überlegene Elektronenmobilität und niedrigere Rauschzahlen bei 140 GHz und darüber.
Durch Mikro-Transferdruck von InP-Verstärker-Chiplets direkt auf Silizium-BiCMOS-Wafer erreichen Frontends die hohe Ausgangsleistung von InP gepaart mit der hochdichten digitalen Steuerung von CMOS.
Heterointegrierte D-Band-Prototypen erreichten einen Kommunikationsdurchsatz von 100 Gbit/s und erzeugten gleichzeitig ein 3D-Radarbild mit 5 cm Auflösung auf 150 Meter Entfernung.