Análisis comparativo de semiconductores que pondera la potencia de RF bruta, la figura de ruido y el costo de fabricación en masa en los frontends de próxima generación.
El GaN ofrece una tensión de ruptura y una densidad de potencia excepcionales hasta 90 GHz, pero el InP demuestra una movilidad electrónica superior y figuras de ruido más bajas a 140 GHz y por encima.
Mediante la impresión por microtransferencia de chiplets amplificadores de InP directamente sobre obleas de silicio BiCMOS, los frontends logran la alta potencia de salida del InP combinada con el control digital de alta densidad del CMOS.
Los prototipos heterointegrados en banda D lograron un rendimiento de comunicación de 100 Gbps mientras generaban simultáneamente una imagen de radar 3D con una resolución de 5 cm a una distancia de 150 metros.