Transceptores de ingeniería que operan en toda la banda D de 130-175 GHz, con alta potencia de salida y figuras de ruido inferiores a 4 dB.
El CMOS de silicio convencional sufre una caída severa de ganancia por encima de 100 GHz. ISACRF integra tecnologías HEMT de InP de 50 nm que entregan +18 dBm de potencia de salida saturada (Psat) y una figura de ruido de 3,8 dB a 140 GHz, garantizando sensibilidad de eco de radar a 200 metros.
Al conectar guías de onda coplanares en el chip directamente a guías de onda rectangulares WR-6.8 mediante antenas de prueba de cuarzo micromecanizadas, la pérdida de inserción se mantiene por debajo de 0,6 dB en todo el ancho de banda de modulación de 30 GHz.