Analyse comparative des semi-conducteurs mettant en balance la puissance RF brute, le facteur de bruit et le coût de fabrication en série des frontaux de nouvelle génération.
Le GaN offre une tension de claquage et une densité de puissance exceptionnelles jusqu'à 90 GHz, mais l'InP présente une mobilité électronique supérieure et des facteurs de bruit plus faibles à 140 GHz et au-delà.
Grâce à l'impression par microtransfert de chiplets amplificateurs InP directement sur des plaquettes de silicium BiCMOS, les frontaux atteignent la puissance de sortie élevée de l'InP associée au contrôle numérique à haute densité du CMOS.
Les prototypes hétérointégrés en bande D ont atteint un débit de communication de 100 Gbit/s tout en générant simultanément une image radar 3D d'une résolution de 5 cm à une distance de 150 mètres.