Frontaux radiofréquence à 140 GHz, amplificateurs faible bruit en phosphure d'indium (InP) et alimentations en guide d'onde

Transcepteurs d'ingénierie fonctionnant sur toute la bande D de 130-175 GHz, avec une puissance de sortie élevée et des facteurs de bruit inférieurs à 4 dB.

Transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en phosphure d'indium (InP)

Le CMOS silicium conventionnel subit une chute de gain sévère au-delà de 100 GHz. ISACRF intègre des technologies HEMT InP de 50 nm délivrant +18 dBm de puissance de sortie saturée (Psat) et un facteur de bruit de 3,8 dB à 140 GHz, garantissant la sensibilité d'écho radar à 200 mètres.

Transitions de guide d'onde sub-THz micro-usinées à faibles pertes

En connectant les guides d'onde coplanaires sur puce directement à des guides d'onde rectangulaires WR-6.8 via des antennes sondes en quartz micro-usinées, les pertes d'insertion restent inférieures à 0,6 dB sur toute la bande de modulation de 30 GHz.

Spectre opérationnel en bande D de 130-175 GHz avec 30 GHz de bande passante continue
Amplificateurs HEMT en phosphure d'indium (InP) avec une puissance de sortie de +18 dBm
Facteur de bruit du récepteur inférieur à 4 dB pour la détection d'écho radar longue portée
Transitions de guide d'onde WR-6.8 micro-usinées avec pertes d'insertion <0,6 dB

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