Analisi comparativa dei semiconduttori che bilancia potenza RF grezza, figura di rumore e costo di produzione in serie nei frontend di nuova generazione.
Il GaN offre una tensione di rottura e una densità di potenza eccezionali fino a 90 GHz, ma l'InP mostra una mobilità elettronica superiore e cifre di rumore più basse a 140 GHz e oltre.
Tramite la stampa a microtrasferimento di chiplet amplificatori InP direttamente su wafer di silicio BiCMOS, i frontend raggiungono l'elevata potenza di uscita dell'InP combinata con il controllo digitale ad alta densità del CMOS.
I prototipi eterointegrati in banda D hanno raggiunto un throughput di comunicazione di 100 Gbps generando contemporaneamente un'immagine radar 3D con risoluzione di 5 cm a una distanza di 150 metri.