Frontend a radiofrequenza a 140 GHz, amplificatori a basso rumore in fosfuro di indio (InP) e alimentatori a guida d'onda

Transceiver ingegneristici operanti sull'intera banda D di 130-175 GHz, con elevata potenza di uscita e figure di rumore inferiori a 4 dB.

Transistori ad alta mobilità elettronica (HEMT) in fosfuro di indio (InP)

Il CMOS al silicio convenzionale subisce un forte calo di guadagno oltre i 100 GHz. ISACRF integra tecnologie HEMT InP da 50 nm che erogano +18 dBm di potenza di uscita satura (Psat) e una figura di rumore di 3,8 dB a 140 GHz, garantendo la sensibilità dell'eco radar a 200 metri.

Transizioni di guida d'onda sub-THz micro-lavorate a bassa perdita

Collegando le guide d'onda coplanari on-chip direttamente a guide d'onda rettangolari WR-6.8 tramite antenne a sonda in quarzo micro-lavorate, la perdita di inserzione resta inferiore a 0,6 dB sull'intera larghezza di banda di modulazione di 30 GHz.

Spettro operativo in banda D di 130-175 GHz con 30 GHz di larghezza di banda continua
Amplificatori HEMT in fosfuro di indio (InP) con potenza di uscita di +18 dBm
Figura di rumore del ricevitore inferiore a 4 dB per il rilevamento dell'eco radar a lungo raggio
Transizioni di guida d'onda WR-6.8 micro-lavorate con perdita di inserzione <0,6 dB

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