130～175GHzのDバンド全域で動作し、高出力かつ4dB未満の雑音指数を実現する送受信機。
従来のシリコンCMOSは100GHzを超えると利得が急激に低下します。ISACRFは50nm InP HEMT技術を採用し、140GHzで+18dBmの飽和出力電力（Psat）と3.8dBの雑音指数を実現し、200メートルでのレーダーエコー感度を確保します。
マイクロマシニングされた石英プローブアンテナを介してオンチップコプレーナ導波路をWR-6.8矩形導波管に直接接続することで、30GHzの全変調帯域幅にわたり挿入損失を0.6dB未満に抑制します。