차세대 프론트엔드에서 순수 RF 출력, 잡음지수, 대량 생산 비용 간의 균형을 다루는 반도체 비교 분석.
GaN은 90GHz까지 뛰어난 항복 전압과 전력 밀도를 제공하지만, InP는 140GHz 이상에서 더 우수한 전자 이동도와 더 낮은 잡음 지수를 보인다.
InP 증폭기 칩렛을 실리콘 BiCMOS 웨이퍼에 직접 마이크로 전사 인쇄함으로써, 프론트엔드는 InP의 높은 출력 전력과 CMOS의 고밀도 디지털 제어를 결합하여 달성한다.
이종 집적 D-밴드 프로토타입은 150미터 거리에서 5cm 해상도의 3D 레이더 영상을 동시에 생성하면서 100Gbps의 통신 처리량을 달성했다.