140GHz RF 프론트엔드, 인듐 포스파이드(InP) 저잡음 증폭기 및 도파관 급전 장치

130-175GHz D-밴드 전 대역에서 동작하며 높은 출력과 4dB 미만의 잡음지수를 갖는 엔지니어링 송수신기.

인듐 포스파이드(InP) 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)

기존 실리콘 CMOS는 100GHz 이상에서 이득이 급격히 저하됩니다. ISACRF는 50nm InP HEMT 기술을 통합하여 140GHz에서 +18dBm 포화 출력(Psat)과 3.8dB 잡음지수를 제공하며, 200미터 거리의 레이더 에코 감도를 보장합니다.

저손실 정밀 가공 서브테라헤르츠 도파관 전이 구조

정밀 가공된 석영 프로브 안테나를 통해 온칩 코플래너 도파관을 WR-6.8 사각 도파관에 직접 연결함으로써, 30GHz 전체 변조 대역폭에서 삽입 손실을 0.6dB 미만으로 억제합니다.

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