Análise comparativa de semicondutores, ponderando potência de RF bruta, figura de ruído e custo de fabricação em massa nos frontends de próxima geração.
O GaN oferece tensão de ruptura e densidade de potência excepcionais até 90 GHz, mas o InP demonstra mobilidade eletrônica superior e figuras de ruído mais baixas a partir de 140 GHz.
Ao imprimir por microtransferência chiplets amplificadores de InP diretamente sobre wafers de silício BiCMOS, os frontends alcançam a alta potência de saída do InP combinada com o controle digital de alta densidade do CMOS.
Protótipos heterointegrados em banda D alcançaram uma vazão de comunicação de 100 Gbps enquanto geravam simultaneamente uma imagem de radar 3D com resolução de 5 cm a uma distância de 150 metros.