Transceptores de engenharia operando em toda a banda D de 130-175 GHz, com alta potência de saída e figuras de ruído abaixo de 4 dB.
O CMOS de silício convencional sofre queda severa de ganho acima de 100 GHz. A ISACRF integra tecnologias HEMT de InP de 50 nm que entregam +18 dBm de potência de saída saturada (Psat) e figura de ruído de 3,8 dB a 140 GHz, garantindo sensibilidade de eco de radar a 200 metros.
Ao conectar guias de onda coplanares no chip diretamente a guias de onda retangulares WR-6.8 por meio de antenas de prova de quartzo micro-usinadas, a perda de inserção é mantida abaixo de 0,6 dB em toda a largura de banda de modulação de 30 GHz.