Сравнительный анализ полупроводниковых технологий с учётом РЧ-мощности, коэффициента шума и стоимости массового производства фронтендов нового поколения.
GaN обеспечивает исключительное пробивное напряжение и плотность мощности до 90 ГГц, однако InP демонстрирует более высокую подвижность электронов и более низкий коэффициент шума на частотах от 140 ГГц и выше.
За счёт микротрансферной печати усилительных чиплетов InP непосредственно на кремниевые пластины BiCMOS, фронтенды достигают высокой выходной мощности InP в сочетании с плотным цифровым управлением CMOS.
Гетероинтегрированные прототипы D-диапазона достигли пропускной способности связи 100 Гбит/с, одновременно формируя 3D радиолокационное изображение с разрешением 5 см на дистанции 150 метров.