面向100GHz以上联合收发器的氮化镓（GaN）与磷化铟（InP）评估对比

对比分析不同半导体工艺在射频原始输出功率、噪声系数与规模化量产成本之间的权衡，服务于下一代前端设计。

半导体击穿电压与功率密度

GaN在90GHz以内提供出色的击穿电压与功率密度，但InP在140GHz及以上频段展现出更优的电子迁移率和更低的噪声系数。

硅-InP异质集成

通过将InP放大器芯粒以微转印方式直接印制到硅BiCMOS晶圆上，前端电路实现了InP的高输出功率与CMOS高密度数字控制的结合。

亚太赫兹原型基准测试

异质集成D波段原型实现了100 Gbps的通信吞吐量，同时在150米距离上生成了分辨率为5厘米的三维雷达图像。