覆盖 130-175 GHz D 频段的工程化收发系统，具备高输出功率及低于 4 dB 的噪声系数。
传统硅基 CMOS 工艺在 100 GHz 以上频段增益急剧下降。ISACRF 采用 50 纳米 InP HEMT 工艺，在 140 GHz 下实现 +18 dBm 饱和输出功率（Psat）与 3.8 dB 噪声系数，确保 200 米距离内的雷达回波灵敏度。
通过微机械加工石英探针天线，将片上共面波导直接过渡至 WR-6.8 矩形波导，在整个 30 GHz 调制带宽内插入损耗被稳定控制在 0.6 dB 以下。